厭氧烤箱GM-60D在半導體行業的應用
膠粘劑固化：如PI（聚酰亞胺）、BCB（苯并環丁烯）和BPO（雙酚A型環氧樹脂）等膠粘劑需要在無氧環境下高溫固化，以防止氧化影響其性能和穩定性。
晶片退火：消除芯片工藝前一階段高溫產生的內應力缺陷，提高芯片的穩定性和可靠性。
堅膜后烘：顯影后的基材需要在無氧環境中烘烤，以增強光刻膠在硅片表面的附著力。
基板烘烤：封裝前排除基板內部的水分子，防止氧化。
封裝固化：保護器件不被氧化，尤其是引線封裝，如SOP、SOT、QFN框架采用銅基材料，極易氧化，需要在低氧環境下固化。
GM-60D厭氧烤箱的安裝條件
環境條件：溫度5~40℃，濕度≤85%R.H。
電源要求：3P AC380V，50HZ。
使用環境：無強烈振動，無強烈磁場影響，無腐蝕性氣體。
氣壓要求：200~500Kpa。
空間要求：箱體周圍應留有500mm的空間，便于設備安裝和維修。
GM-60D厭氧烤箱的技術規格
工作室尺寸：W600×H600×D600 mm。
外形尺寸：W1190×H1730×D1100 mm。
功率：9KW。
溫度范圍：+60℃~+450℃。
溫度均勻度：±2.5℃@200℃；±5℃@350℃（空載）。
升溫速度：常溫~400℃，升溫速度：6°C/min。
溫控精度：±1℃。
含氧量：≤20PPM。
運行噪音：≤65db。
